2025届[考阅评く大联考]广西2月高三毕业班联合调研测试英语试题 答案

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22.(10分)在芯片制造过程中,离子注入是其中一道重要的工序。如图所示是一部分离子注入工作原理示意图,离子经加速后沿水平方向进入速度选择器,选择出速度为v的离子,然后通过磁分析器I,选择出特定比荷的离子,经偏转系统Ⅱ后注入水平放置的硅片上。速度选择器、磁分析器中的匀强磁场的磁感应强度大小均为B,方向均垂直纸面向外,速度选择器中的匀强电场方向竖直向上。磁分析器截面是矩形,矩形长为23L,,宽为2L。其宽和长中心位置C和D处径为3L的半圆形偏转系统Ⅱ内存在垂直纸面向外,磁感应强度大小可调的匀强磁场,O为半圆形偏转系统的圆心,D、O、N在一条竖直线上,FG为半圆形偏转系统的下边界,FG与硅片平行,O到硅片N的距离ON=3L,不计离子重力及离子间的相互作用,求(1)速度选择器中的匀强电场场强E的大小;(2)求磁分析器选择出来的离子的比荷qm;(3)若偏转系统磁感应强度大小的取值范围33BB甲233B,求硅片上离子注入的宽度。

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1.在光电效应实验中,用频率为的光照射光电管阴极,恰好发生了光电效应,普朗克常量为h,电子电荷量为e,下列说法正确的是A.减弱入射光的强度,光电效应现象消失B.换用频率为220的光照射光电管阴极,光电子的最大初动能为2h10C.此光电管的逸出功为h10D.换用频率为的光照射光电管阴极,遏止电压为h102e

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