2025届福建省高三年级入学考试(FJ)物理试题答案

2024-08-27 10:22:23

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试题答案

2025届福建省高三年级入学考试(FJ)物理试题答案

6.如图所示,在倾角=30^的光滑固定斜面上固定有一可绕转轴O在斜面内自由转动的轻杆,杆的两端分别连接着质量为m1=30g的小球P和质量为m2=60g的小球Q,O的长度r1=0.20m,OQ的长度r2=0.10m,重力加速度g取10m/s^2.现给小球P一个垂直于OP且与斜面平行的初速度;v0=2.0m/s,,规定转轴O点为零势能点,则此后A.系统机械能不变恒为0.09JB.当轻杆转至水平位置时,轻杆对球P弹力的大小为0.6NC.当球Q转至最低点时,轻杆对转轴O的弹力为零D.当球Q转至最低点时,轻杆对转轴O的弹力大小为0.4N

2025届福建省高三年级入学考试(FJ)物理试题答案第一部分

2025届福建省高三年级入学考试(FJ)物理试题答案

3.如图所示,弹簧振子在P、Q两点之间做简谐运动,O点为平衡位置,M点为OQ的中点,从某时刻开始计时,,t1=1s时振子经过M点向左运动,,t2=1.5s时振子第一次经过点,若F两点相距10cm,取向右为正,则该振子的振动方程为是A.x=5(2t+23)cmB.x=10(3t+23)cmC.x=10(2t+3)cmD.x=5(3t+2)cm

2025届福建省高三年级入学考试(FJ)物理试题答案第二部分(待更新)

22.(10分)在芯片制造过程中,离子注入是其中一道重要的工序。如图所示是一部分离子注入工作原理示意图,离子经加速后沿水平方向进入速度选择器,选择出速度为v的离子,然后通过磁分析器I,选择出特定比荷的离子,经偏转系统Ⅱ后注入水平放置的硅片上。速度选择器、磁分析器中的匀强磁场的磁感应强度大小均为B,方向均垂直纸面向外,速度选择器中的匀强电场方向竖直向上。磁分析器截面是矩形,矩形长为23L,,宽为2L。其宽和长中心位置C和D处径为3L的半圆形偏转系统Ⅱ内存在垂直纸面向外,磁感应强度大小可调的匀强磁场,O为半圆形偏转系统的圆心,D、O、N在一条竖直线上,FG为半圆形偏转系统的下边界,FG与硅片平行,O到硅片N的距离ON=3L,不计离子重力及离子间的相互作用,求(1)速度选择器中的匀强电场场强E的大小;(2)求磁分析器选择出来的离子的比荷qm;(3)若偏转系统磁感应强度大小的取值范围33BB甲233B,求硅片上离子注入的宽度。

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